23年蝕刻領(lǐng)域?qū)崙?zhàn)經(jīng)驗(yàn),擁有上萬次成功案例,500強(qiáng)企業(yè)的信賴。


在霧化片微孔加工中,蝕刻工藝(光化學(xué)蝕刻或電化學(xué)蝕刻)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)成為主流選擇之一,尤其適合高精度、復(fù)雜微孔結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)。以下是選擇霧化片微孔蝕刻加工
工藝的核心原因及與其他工藝的對(duì)比分析:
1. 蝕刻工藝的核心優(yōu)勢(shì)
(1) 高精度與復(fù)雜結(jié)構(gòu)兼容性
霧化片微孔加工尺寸控制:蝕刻可實(shí)現(xiàn) 3–50μm 的孔徑加工,且能形成錐形孔、異形孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)(如入口大、出口小的階梯孔),優(yōu)化液體流動(dòng)和霧化效率。
無機(jī)械應(yīng)力:相比激光或機(jī)械鉆孔,蝕刻屬于非接觸加工,避免材料變形或微裂紋,保持霧化片的固有機(jī)械性能(如振動(dòng)一致性)。
(2) 批量生產(chǎn)與經(jīng)濟(jì)性
霧化片微孔加工并行加工:通過光刻掩膜可一次性在整張金屬箔上加工數(shù)百萬個(gè)微孔,適合大規(guī)模生產(chǎn)(如電子煙霧化片需求可達(dá)百萬片/月)。
低成本模具:光刻掩模成本遠(yuǎn)低于精密機(jī)械鉆孔或激光掃描的工時(shí)成本。
(3) 材料適用性廣
多種金屬兼容:鎳、銅、不銹鋼等均可通過蝕刻加工,滿足不同場(chǎng)景需求(如鎳基霧化片耐腐蝕,銅基導(dǎo)熱性好)。
薄片加工優(yōu)勢(shì):尤其適合 50–200μm 厚度的金屬箔,蝕刻可避免沖壓導(dǎo)致的邊緣翹曲。
2. 與其他霧化片微孔加工工藝的對(duì)比
工藝 | 蝕刻 | 激光鉆孔 | 電鑄成型 | 機(jī)械沖壓 |
精度(μm) | 3–50(可更?。?/span> | 10–100(熱影響區(qū)大) | 1–20(依賴模具) | ≥50(邊緣毛刺) |
孔型設(shè)計(jì) | 任意形狀(錐形、陣列) | 圓形/簡(jiǎn)單異形 | 依賴模具,可復(fù)雜 | 簡(jiǎn)單圓形/方形 |
生產(chǎn)效率 | 極高(批量并行) | 中低(逐孔加工) | 高(但模具制作慢) | 高(但精度低) |
成本 | 低(掩模+化學(xué)液) | 高(設(shè)備能耗、維護(hù)) | 中高(模具成本) | 低(但工具磨損快) |
材料限制 | 導(dǎo)電/非導(dǎo)電金屬 | 幾乎所有材料 | 僅限電鑄金屬(如鎳) | 延展性好的金屬 |
3. 霧化片微孔蝕刻加工工藝的典型流程(以鎳霧化片為例)
清洗與涂膠:金屬箔表面清潔后涂覆光刻膠(如正性膠)。
曝光與顯影:通過掩膜板紫外曝光,顯影后形成微孔圖案。
蝕刻:化學(xué)蝕刻液(如FeCl?溶液)溶解未保護(hù)區(qū)域,控制時(shí)間與溫度以調(diào)節(jié)孔徑和錐度。
去膠與后處理:去除殘留光刻膠,可能增加疏水涂層(如PTFE)。
4. 霧化片微孔蝕刻加工的局限性及應(yīng)對(duì)措施
側(cè)蝕問題(Undercut):蝕刻液可能橫向腐蝕,導(dǎo)致實(shí)際孔徑>設(shè)計(jì)值。
解決方案:優(yōu)化蝕刻液配方(如添加抑制劑)、采用間歇式蝕刻(Pulse Etching)。
環(huán)保壓力:化學(xué)廢液需處理(如中和、回收金屬離子)。
趨勢(shì):開發(fā)綠色蝕刻劑(如基于檸檬酸的環(huán)保配方)。
5. 為什么電鑄霧化片仍需結(jié)合蝕刻?
即使電鑄工藝可直接成型微孔,但高端霧化片常采用“電鑄+蝕刻”復(fù)合工藝:
電鑄后修整:電鑄孔邊緣可能殘留毛刺,通過輕微蝕刻提高表面光潔度。
二次加工:在電鑄基底上蝕刻更復(fù)雜的次級(jí)結(jié)構(gòu)(如導(dǎo)流槽)。
結(jié)論
霧化片微孔蝕刻加工工藝因其高精度、低成本、批量生產(chǎn)能力,成為霧化片微孔加工的首選,尤其適合對(duì)孔型一致性和生產(chǎn)效率要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景(如醫(yī)療霧化器)。未來隨著掩模技術(shù)和環(huán)保蝕刻劑的發(fā)展,其優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步擴(kuò)大。但對(duì)于納米級(jí)孔徑(<1μm)或超高頻振動(dòng)需求,可能需要結(jié)合激光或離子束工藝。